本文へ移動
サポートシェアリングソリューション
OKWAVE Plus

このQ&Aは役に立ちましたか?

締切済み

FETを使用した逆接続保護回路について

2024/09/30 18:22

電池の逆差し時の保護回路を検討中です。
P-ch MOSFETを使用した逆接続保護回路の情報はよく見るのですが、
N-ch MOSFETを使用して保護回路を構成することは可能でしょうか?
回路図例などをご教授いただけると助かります。

※OKWAVEより補足:「技術の森( 電子・半導体・化学)」についての質問です。

回答 (2件中 1~2件目)

2024/09/30 18:58
回答No.2

次のURLの情報に、逆接保護回路に、P-ch MOSFETとN-ch MOSFETを使用した場合の得失比較が記載されています。
https://www.monolithicpower.com/jp/learning/resources/designing-a-reverse-polarity-protection-circuit-part-i?srsltid=AfmBOoqG6Tct_EYJW3HGlo3vb1upF0rM02_dS1Tc-QN7mRmoprgMBZd8
ディスクリート素子で回路を構成するのであれば、N-ch MOSFETを使用することに支障はありません。

お礼

2024/10/01 09:56

早速のご回答ありがとうござました。参考とさせていただきます。

質問者

このQ&Aは役に立ちましたか?

2024/09/30 18:35
回答No.1

手っ取り早くダイオードで良いのでは順方向電圧の分の電圧は
下がりますがダイオード1本で済みます。
逆さしでは電流が流れないので回路は保護されます。
ショットキーバリアーダイオードなら通常のダイオードより
順方向電圧は低いです。

お礼

2024/10/01 09:57

ありがとうございます。
乾電池駆動のため電圧降下は避けたいのですが、ショットキーの使用もあわせて検討させていただきます。

質問者

お礼をおくりました

さらに、この回答をベストアンサーに選びますか?

ベストアンサーを選ぶと質問が締切られます。
なおベストアンサーを選びなおすことはできません。