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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です(原文:SiNxのクリーニングについて)

SiNxのクリーニングについて

2023/10/13 01:27

このQ&Aのポイント
  • SiNx(シリコンナイトライド)などのクリーニングガスとして最適なガスは何かを調査する
  • NF6、CF4、C2F6、SF6+O2がSiNxのクリーニングに使える可能性があるが、効果や酸素の含有量は不明
  • (1) NF6がエッチングガスとして効果があるか、(2) 効果がある場合の最適な酸素の含有量、(3) 他のガスの可能性を調査する
※ 以下は、質問の原文です

SiNxのクリーニングについて

2002/04/06 12:12

私はプラズマCVD装置を使用しています。この度、この装置を他種類のガスを導入して実験を行うこととなりました。
 従来はCH4(メタン)を導入していましたのでO2でクリーニングを行っておりました。この度、SiH4(シラン):1.5%、N2:98.5%のガスを導入することとなりました。
 ここでお聞きしたいのですが、SiNx(シリコンナイトライド)などのクリーニングガスとしてどのようなガスが最適化をお聞きしたいと思います。しかし、SiNxだけが出来ているとは確認できていません。
 当方が調べた所では?NF6 ?CF4 ?C2F6 ?SF6+O2が使えるのでは無いかと言うことが分かってきました。
 しかし、?は最も効果が高いのですが危険なため利用できませんでした。?は現在試してみてはいるのですが思ったような効果が得られませんでした。そこで、?を注文しようと思うのですが酸素の含有量が分かりませんでした。
 そこでお聞きさせて頂きたいのは、(1) ?が本当にエッチングガスとして効果があるのかということと  (2)効果がある場合、酸素の含有量をいかほどにすれば最適なのか (3)他のガスはないのか の三点です。

よろしくお願い致します。

回答 (1件中 1~1件目)

2002/04/10 13:19
回答No.1

三和精密工業? yatoと申します。
半導体装置の試作機を製作しております。
SiNxのクリーニングですが今は環境的にC2F6が主流のようです。CVDにプラズマを立てて400℃近辺に加熱するようです。具体的に装置・基板材質等明確になればもう少しアドバイス出来ると思います。

補足

2002/04/11 16:45

アドバイスありがとうございました。
 私の使用しております装置はICP(inductively coupled plasma)-CVD装置です。基板材質はSiウェハーです。通常の容量結合型CVDとの違いは高励起のためイオン化率が高いと言うことがあります。調べたところではCF4の場合、ICPでは解離度が60%に達しCH+が主なイオンとなっています。一方、CCPでは解離度5%、主なイオンはCF4+となっていました。
 次に、現在試してみたクリーニング条件は?1Pa、400W ?0.1Pa 550W ?O2の添加 です。時間はおそらくトータルで15時間は行っているかと思います。とにかくクリーニングガスを考えずに無理矢理実験が行われていましたので、かなりの膜圧が付いていると思います。概算では15000Aぐらいは付いているのではないかと考えています。現在の状況は真空装置としては最悪の状況です。セラミックの周りは粉が崩落した部分としていない部分が混在、内壁は干渉縞が見え取れていないように感じます。やはりおっしゃるように温度が高いセラミック付近のみが取れているのかもしれません。
 ここでお聞きしたいのですが、CF4とC2F6ではエッチング効果に違いがあるのでしょうか?また、環境的にというのはどういった意味でしょうか?とにかく現在の状況は何が何でも取れないと話にならないといった状況です。どうかよろしくお願いします。

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