半導体ｳｪﾊｰの裏面のｷｽﾞ

Question

半導体ｳｪﾊｰのﾊﾞｯｸｸﾞﾗｲﾝﾄﾞを行った後の裏面（ﾊﾟﾀｰﾝ面の裏）のｷｽﾞについて、
一般的な許容範囲は存在するのでしょうか。
当方ﾀﾞｲｼﾝｸﾞ、ﾊﾟｯｹｰｼﾞﾝｸﾞする際の影響に関して知見がありません。
ｷｽﾞのﾚﾍﾞﾙにもよるのでしょうが、投光機などの強い光を当てた時に
光の反射具合でわかるようなｽｸﾗｯﾁ状のｷｽﾞなども影響するのでしょうか。

Answer

半導体ウエハの特性は、ご存知でしょうか？
また、貴社（貴殿が担当）の工程以降は、どの様な工程があるか、
ご存知でしょうか？

ウエハの特性上、ウエハのハンドリング時に、キズへ応力が集中し易く
キズが成長して、破損へつながります。<より脆くなる>
また、各エッチング工程の様に、キズを拡大させる工程もあります。
そして、後工程のウエハダイシング時も、ダイシング圧力やカット時の
圧力から、応力集中の破損要因になります。

キズの定量と影響の関係は？？です。

Answer

こんにちは。
バックグラインドは２つの方式に大別されて、それぞれ研削面に異なる
研削痕が現れます。

１：インフィード　　→　ウエハー中心点より風車状の研削痕
http://www.disco.co.jp/jp/products/description/description11.html
２：クリープフィード→　縦じま模様の研削痕跡
http://www.disco.co.jp/jp/products/description/description12.html

「投光機を当てて」とありますが、上記の痕跡以外が後に問題に至る傷
と解釈されればと考えます。

ただ、ご質問の内容ですが、文末に「影響する」とありますが、
どの様な内容への影響でしょうか？

その内容によるかと思います。ウエハーマウントの際に割れが発生している
のですか？それとも、ダイボンディングでＣｈｉｐ割れが発生しているのでしょうか？研削痕以外の傷で割れが発生しているのであれば、そのスクラッチ傷が原因と思われますし、通常の研削痕跡で割れているのであれば、研削深さもしくは、ダイボンディングの突き上げ条件に問題があると思われます。その点をもう少し詳しく教えていただければ、更にアドバイスは可能かと思います。

こんにちは。
バックグラインドの専門家様だったんですね。
釈迦に説法でした。すみません。（＾＾；

中々、どこのメーカーさんでも、「傷」に関しては「長さ」では規定はあるものの、深さまでは規定されていないと思います。
大半は「傷があればＮＧ」では？

＞チャックテーブルの異物残留や、搬送アームによる引っかき傷です。

とありますが、私の経験上　同じくこの傷で「ウエハー輸送中」「ウエハーマウント」「ダイシング時」に多くの割れを経験しています。

後工程の観点から言えば、
ポイントはやはり「劈開方向」と「深さ」ですね。

以前はクリープフィードのバックグラインド切削痕が劈開方向にあって、同じく数μｍの通常切削痕跡より深い傷により慢性低率でウエハーマウントやダイシングで割れが発生した経験もあるぐらいですから。

逆に、「ウエハー輸送中」「ウエハーマウント」「ダイシング時」
に耐えられる傷ならば、以降の工程では問題はあまり出ないかもしれません。

しかしながら「劈開方向」の傷は、やっかいです。

ダイボンディングもＣｈｉｐの突き上げ部（中心点）に傷があれば割れる
場合があります。

モールド時は離型時の応力による割れ（樹脂注入中は影響しません）なので、同じく劈開方向に傷があるか否かになります。

以降、モールド後～基板実装に至るまでＰＫＧへの応力での割れになります
ので、前述の「劈開方向への傷」がポイントになります。

ただし、これらは、そのＰＫＧ構造や後工程の製造装置、プロセスによって影響の度合いが大きく変化しますから、廃棄コスト削減のために流動可否を決定するのであれば、後工程とタイアップして独自評価を行い、傷の規格設定をする以外に道はない様に思えます。

何らかの理由があって評価できないのであれば、後工程だけではなくＰＫＧ後の基板実装応力でも、その傷が起点となって割れに至る場合も想定されますから、正攻法で傷を撲滅する以外ないかと思います。

半導体ウェハーの裏面のキズについて