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はんだディップとアニーリングによるウィスカの抑制効果、ウィスカ長規格
2023/10/18 01:43
- 銅合金に、銅下メッキ後、半艶の錫メッキ(厚さ3um標準)をした端子を鉛フリーはんだのディップで基板にはんだ付し、ウィスカ発生の抑制効果について現在情報は不明。
- はんだディップ時にSnメッキが溶融されるためウィスカ発生が抑制される可能性もあるが、定量的なデータは取得していない。
- 150℃/1hのアニーリングについても効果の有無には情報の相違があり、アニーリングのタイミングによっても効果が変わる可能性がある。ウィスカの長さに関する規格は不明。
はんだディップとアニーリングによるウィスカの抑制…
2010/09/14 13:56
はんだディップとアニーリングによるウィスカの抑制効果、ウィスカ長規格
ウィスカに関して、過去ログも見たのですが、該当するものがなかったので
質問させて頂きます。
・銅合金に、銅下メッキ後、半艶の錫メッキ(厚さ3um標準)をした端子を
鉛フリーはんだのディップで基板にはんだ付しております。
端子ランド間が1mm以上あること、はんだディップ時にSnメッキが溶融される
のでウィスカ発生は抑制されるとの情報もあり(情報源現在不明）、定量的な
データは取得しませんでした。
Snメッキでもその後、はんだフロー(ディップ)を行なう場合は
ウィスカの発生は抑えられるのでしょうか ？
150℃/1hのアニーリングについても、効果があるという情報や
それほど効果が認められないというデータもあるようです。
Snメッキ後のどのくらいの時間内でアニーリングするかも
関係あるようですが、どなたかアニーリングの効果についても
お教え頂きたくお願い致します。
先の質問で記載忘れが有りましたので追加します。
ウィスカの長さと使用回路との規格のようなものは
あるのでしょうか
以上宜しくお願い致します。
回答 （1件中 1～1件目)
ウィスカはSnめっきの内部応力が原因で発生します。
ウィスカの発生度合いはめっき厚さや使用している光沢剤によっても
異なりますが、早いとめっき後翌日にはウィスカが伸びはじめます。
アニーリングよりリフロー処理（再溶解処理、Snの溶解温度より高い温度で
加熱処理する）をめっき後で行った方が良いと思います。
Snめっき後に半田ディップするとしてもそのときには恐らくウィスカが
あるので抑制効果はないと思います。半田ディップで溶解し配線間に
残らなければ問題ありませんが現実的とは思えません。
半田付けをすればウィスカは成長しないと思います。
端子ランド間が1mmあるとのことですので半田付け後に、
ウィスカが残っても問題なければ良いと思います。
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お礼
2010/09/16 08:35
アドバイス有難う御座いました。
・効果が期待できる、メッキ後のリフロー処理については、コスト的な問題
も有り、残念ながら実施困難です。
>Snめっき後に半田ディップするとしてもそのときには恐らくウィスカが
>あるので抑制効果はないと思います。
→はんだディップ以前に発生したウィスカの成長を、はんだディップで
押えることは可能でしょうか ？
ご教授頂ければ幸いです。