gandhi-さんのプロフィールの回答履歴
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量子カスケードレーザについて
量子カスケードレーザとは、量子カスケード構造をしたレーザで、励起された電子(or正孔)を複数回利用することで、強い発光を得ることが出来る。(量子効率がとても良い) しかし、可視光領域での発光は望まれ...
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ベストアンサー
- Ayahara-em
- 物理学
- 回答数 2
- 2009/06/24 10:46
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半導体のフォトルミネッセンス(PL)について
発光素子のエネルギーギャップ以上に励起させる、例えば素子が4eVでレーザなどで5eVを励起させるとどのようなこと、又は発光が起こるのでしょうか?バンド幅があわずにその素子がもっている励起子発光が確認で...
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ベストアンサー
- Surf-Designs
- 物理学
- 回答数 2
- 2009/06/27 20:01
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P型GaN
いつもお世話になっております。 さっそくですがP型GaNだけではないのですが、深い不純物準位をもった半導体はどうして高抵抗といえるのでしょうか? ご教授ください。よろしくお願いします。
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ベストアンサー
- kondou1129
- 物理学
- 回答数 2
- 2009/06/25 21:31
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電子と正孔の有効質量について
正孔と電子を比べると、前者のほうが有効質量は重いわけで、 移動度∝緩和時間/有効質量 の式から、通常、正孔のほうが移動度が小さくなります。 緩和時間は不純物やフォノンとの散乱を考えるわけですが、...
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締切済み
- infinity40-100
- 物理学
- 回答数 2
- 2009/01/05 20:48
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P型半導体のキャリア移動度??
N型のキャリア移動度がどうしてP型半導体のキャリア移動度 よりおおきいのでしょう? バンドギャップの違いからなのでしょうか? 御教えいただけると幸いです。
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航空機の加工について
航空機に使われている加工技術を調べる課題が学校でだされたのですが、図書館で参考文献をさがしても、それに関する本がみつからずこまっています。 詳しいかたなにかその加工技術に関するワードだけでもいいので...
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ワイドバンドギャップ半導体について
ワイドバンドギャップ半導体は不純物をドープすることでバンドギャップが大きいのになぜ半導体になるのですか? ドナー準位などの言葉を使って説明お願いします。
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フォトルミネッセンスによるInGaAsの組成決定について
フォトルミネッセンスでInGaAsのIn組成が決定できると聞きましたが、 どのように決定するか、参考になる文献があれば教えてください。
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ダイオードのI-V特性
この実験でn(ideality factor)が求められたのですが、この値からダイオードについてわかることはどんなことがありますか?? よろしくお願いします。
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大気圏突入角度について
スペースシャトルが帰還する際 大気圏への突入角度がとても難しいらしいのですが 実際に何度で進入するのでしょうか? 許容角度はどのくらいなのでしょうか?