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締切済み
※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：複数の素子に対するヒートシンクの選定について）
複数の素子に対するヒートシンクの選定について
2009/01/22 12:51
このQ&Aのポイント
- 異なる発熱を持つ半導体をヒートシンクに取り付ける際の必要熱抵抗の計算方法について教えてください。
- 複数の素子を1つのヒートシンクに取り付ける場合、単純に消費電力を合計するだけでよいのでしょうか？
- ヒートシンクの選定において、異なる発熱を持つ素子の総合的な熱処理能力を考慮する必要があります。
※ 以下は、質問の原文です
複数の素子に対するヒートシンクの選定について
発熱の異なる半導体（FETと整流ダイオードなど）を、
1つのヒートシンクに取り付ける場合、
必要熱抵抗の計算はどのようにするのでしょうか？
単純に消費電力を合計すればよいのでしょうか。
ご存知の方、教えていただければ幸いです。
回答 （2件中 1～2件目)
2009/01/22 23:50
回答No.2
公式のようなものを目指そうとするとハードルが高いので，
今回設計したい案件の条件を教えてもらえませんか。
欲しい値は，各半導体素子の消費電力，各半導体素子のジャンクション温度
（設計値），各半導体素子のジャンクション－ケースの熱抵抗値です。
具体的に計算してみたいと思います。
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2009/01/22 15:00
回答No.1
毎度ＪＯです。
各素子のジャンクション－ヒートシンク間の熱抵抗と各素子の発熱量から計算出来そうです、
各素子のジャンクションでの発熱は、ヒートシンクで合流する事になります。
FETと整流ダイオードであれば、ジャンクション－ヒートシンク間の熱抵抗は大差ないと思われます。
ぎりぎりの設計をするのでは無く、ジャンクション温度に余裕の有る設計なら、
各素子のバラつきは無視して、消費電力を合計してヒートシンクと周囲温度から計算してもかまわないと思われます。
お礼
2009/01/22 15:08
丁寧なご回答有難うございます。
それほど大がかりなものではないと思いますので、消費電力は合計で
一度試してみたいと思います。
お礼
2009/01/23 09:15
有難う御座います。
初めてで勉強しながら、でしたので参考にさせて頂きます。
使用素子はスイッチング用IGBTモジュール、三相整流ダイオードです。
IGBTモジュール
消費電力（4素子合計）IGBT部：193.12 FWD部：55.92
Tｊ 120℃（max150℃）
Rthj-c IGBT部：0.28 FWD部：0.4
Rthc-f 0.07
ダイオードモジュール
消費電力 推定45*6素子=270（損失は計算中です）
Tｊ 120℃（max150℃）
Rthj-c 0.24
Rthc-f 0.06
機器全体の消費電力 約330Ｗ
となります。現状ではこれを一つのヒートシンクにつけ、
局所吹き付けファン＋筐体換気ファンを考えています。