トランジスタの動きについて

回答(1)(2)再出
抵抗器がR1だけの場合についても動作電流の「例」を推測してみました。
回答(2)の場合は、トランジスタを「能動領域」で動作させることを想定しましたが、今回は完全にオン状態にする「飽和領域」で動作させることを想定しました。
完全にオン状態にするには、能動領域で動作させるよりも何倍ものベース電流を流します。このような使い方を「オーバードライブ」するというような表現をします。

質問文で「過電流や突入電流防止のため」と書かれていますが、なぜ、そう思われましたか？

この回路で過電流を防ぐ効果はありません。
突入電流は若干下がるかもしれませんが、この回路の目的が突入電流防止のためなのかと言えば、”No”です。

回路の動作は、既に完璧な図解をしてくださっているNo2の回答の通りです。

ここから、さらに負荷電流を増やしていくと、この回路では過電流防止の役目は果たしませんので、トランジスタが焼損するところまで流れてしまいます。

もしこれが試験問題で、「この回路の主な目的は何でしょうか」という問題に「過電流防止」と回答したらバツですね。

既に回答されているように、電圧調整とかリップル抑制を目的とした回路になります。

かなり精度の悪い、簡易定電圧回路と考えることもできます。
定電圧出力の値は、TR2ベース電流がR1,R2に流れる電流に対して無視出来るぐらい小さい場合は、Vin(R2/(R1+R1)-(TR2:Vbe+TR1:Vbe)になります。
実際は、TR2のベース電流は無視できるほど小さくもないので、もう少し計算は複雑になります。

もう少し出力電圧精度を良くする場合は、R2の所をツェナーダイオードに変えたりします。

また、R2が無い回路の場合は、供給電源電圧から、約1V弱程度下がった電圧を、若干リップル抑制しながら出力するような回路になります。
電圧低下の1V弱という値は、およそ(TR2:Vce(sat))+(TR1:Vbe)になります。

負荷電流を1000mAと仮定し、トランジスタのｈFEに一般的な値を当てはめて、ざっくり電流の流れの例を試算してみましたので参考にしてください。コンデンサは、直流電流に影響を与えないので省いています。

典型的な電源回路ですね。
回路の主目的は、電圧調整やリップルの低減と思います。
トランジスタの接続法は、ダーリントン接続と言って、直流電流増幅率（ｈFE）を高める典型的な接続方法です。物理的には2個のトランジスタで形成されていますが、ｈFEの極めて高い1個のトランジスタと等価の働きをします。
R1を通してトランジスタのベースに電流が流れ込み、エミッタに向かって流れだします。この際、ｈFE倍に増幅された電流が、コレクタからエミッタに向かって流れるのが動作原理です。

https://ana-dig.com/darlington/

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