razavi 一段増幅回路　演習3.15(再投稿)

回答(2)追記
MOSFETメーカーのデータシートでは、先の回答に記載したように、理想的なON/OFF特性ではない（アナログ的に変化する）ことを前提に、所定のIDが流れる条件でVth定義します。
一方で、電子工学の教科書では、理想的なON/OFF特性を行うことを仮定して、ON/OFFの丁度境目に相当するゲート電圧をVthと定義する場合もあると思います。
ご質問者さんが、試験問題などで疑問を感じているとしたならば、MOSFETのON/OFF特性を理想化しているのか、現実的な扱いをしているのか、設問の前後関係で判断する必要があるかもしれません。

Vthは、MOSFETがON状態、又はOFF状態からON状態への遷移状態となるゲート電圧です。一般的には、次のURLに示すようにID＝1mAで定義している場合が多いようです。
https://detail-infomation.com/mosfet-threshold-voltage/
従って、ゲートにVthの電圧を加えた場合は、MOSFETは完全にOFFの状態ではないので、Vout=Vddということは不適切なように思います。

Vin<<Vthのときであれば、MOSFETは完全にOFFの状態になるとみなせるので、Vout=Vddになると言ってよいと思います。

いずれにしても、MOSFETはアナログ的な動作をするので、ゲートにVthの電圧を加えた場合は、理想的ON状態と、理想的なOFF状態の中間にあると扱うことが適切と思います。

回路動作を簡潔に説明するための割り切りと、実際のONからOFFへの切り替わりの実態には差異があります。

MOS FETには二つの特性の異なる素子の区分があります。
デプレッションモードとエンハンスメントモードです。
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デプレッションモード
ゲート電圧0Vでドレイン電流が流れ、
ゲート電圧0V付近のゲート電圧ドレイン電流特性は
概ね直線的なので小信号増幅に適しています。
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エンハンスメントモード
ゲート電圧が閾値未満ではドレイン電流はOFF、
ゲート電圧が閾値を越えるとドレイン電流がON、
閾値付近でゲート電圧ドレイン電流は非線形になるので、
スイッチング用途に適しています。
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増幅回路ということなのでそのMOSFETはデプレッションモード
のFETでしょう。そのFETの入力OPEN時のドレイン電流とRdの抵抗値
によりVout≒Vddになるか,どの程度Vout=Vddと言えるかは不明。
だと考えます。問題の条件としてどちらのモードのFETかの説明は？