このQ&Aは役に立ちましたか？
ベストアンサー
※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：MOSEETのプロセス世代毎の電圧の決め方）
MOSEETのプロセス世代毎の電圧の決め方
2023/10/21 02:39
このQ&Aのポイント
- MOSEETのプロセス世代ごとの電圧決定方法
- プロセス世代とトランジスタの動作電圧の関係
- トランジスタの作り方と電圧の関係
※ 以下は、質問の原文です
MOSEETのプロセス世代毎の電圧の決め方
2022/10/09 18:05
半導体のプロセス世代は130nmとか90nmとか10nmとか進化していきますが、それぞれトランジスタを動かすための電圧はどうやって決まるのでしょうか。
または、電圧が先に決まっている場合、トランジスタの作り方はどういう順番で決めていくのでしょうか。（ゲート長、酸化膜厚みなど）
質問者が選んだベストアンサー
最も支配的な要因は、ゲート酸化膜の信頼性のように思います。
信頼性が高ければ、より薄い酸化膜を使うことができて、より低い電圧でON-OFF動作ができるようになって、動作速度・消費電力の双方に寄与することができると思います。
「どういう順番で」とのご質問ですが、相互に影響する複数のパラメータを総合的に顧客のニーズに合致させるように設計することがメーカーの総合的な競争力であって、単純には言い表しにくいと思います。
要素技術の進化をどのように配分するかを総合的に設計ルールに落とし込むかは、半導体メーカーの戦略であって、勝者がみえてこないと明確には結論付けしにくいと思います。
このQ&Aは役に立ちましたか？
この質問は投稿から一年以上経過しています。
解決しない場合、新しい質問の投稿をおすすめします。
お礼
2022/10/12 22:42
ありがとうございます。半導体の設計はものすごく奥が深いんですね。何か決められた手順があるわけではないことがわかり、とても勉強になりました。まだ知らないパラメータが沢山あるので、よく勉強してみます。