ボイドと結晶欠陥の観察に関する初心者の疑問

TEMの初心者です。

透過顕微鏡を使用してSiが使われている半導体のボイドや結晶欠陥と呼ばれるものを観察しているのですが、TEMの初心者です。

透過顕微鏡を使用してSiが使われている半導体のボイドや結晶欠陥と呼ばれるものを観察しているのですが、調べてボイドは半導体素子内部において欠陥や空洞が形成される現象のことで結晶欠陥は欠陥でも種類があり結晶構造内に存在する不完全な部分のことだとわかりました。
しかし 4つの写真を見ても重なってるところやどれが空洞と呼ばれるボイドなのか結晶欠陥なのか、その欠陥は何でできたのか見ても特徴があるのかまでよくわかりません。

それぞれの写真からから読み取れることを教えていただきたいです。

TEMの写真からは、欠陥やボイドがどのような形態で存在しているのでしょうか。

SEMで撮影されたこの写真からはボイドや結晶欠陥の微細な表面のメリットとしてわかる情報は何でしょうか。

STEMの明視野、暗視野で撮影された写真では結晶欠陥とボイドの存在や分布の傾向はどうなっているのでしょうか。

また、4つの写真から総じてわかることも教えていただけたらなと思います。
左上から順番に時計回りでTEM、SEM、STEMの明視野、STEMの暗視野で撮影した写真です。

初心者ですので、周りに詳しい方がいなくて困っています。答えてくれる優しい方、よろしくお願いします。