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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：スパッタ膜へのめっき）
スパッタ膜へのめっきと活性化処理の影響について
2023/10/13 20:29
このQ&Aのポイント
- 質問文章では、チップ抵抗器の端面電極をＮｉ／Ｃｒスパッタで形成しており、Ｎｉ→Ｓｎめっきをする予定です。質問文章では、Ｎｉめっき前に５％硫酸で活性化処理を行っていますが、スパッタ膜が溶けるかどうかが不安です。
- また、Ｎｉめっき投入時にはめっき液で空回しを行っているそうですが、スパッタ膜への影響が気になります。
- 質問者は自身の薄い膜のために上記の工程を排除したいと考えていますが、相手にしてもらえないようです。
※ 以下は、質問の原文です
スパッタ膜へのめっき
2004/07/10 23:49
チップ抵抗器の端面電極をＮｉ／Ｃｒスパッタで形成しております。
この上にＮｉ→Ｓｎめっきをするのですが
１）Ｎｉめっき前に５％硫酸で活性化処理していますが、スパッタ膜は溶けるのでしょうか
２）Ｎｉめっき投入時に「なじみやすくする」ということで１分位めっき液で空回ししていますが
スパッタ膜への影響はありますか？
僕自身は非常に薄い膜なので、上記２つの工程を排除してほしいと訴えているのですが、相手にしてもらえません．．．
回答 （1件中 1～1件目)
2004/07/16 09:02
回答No.1
１）５％硫酸でスパッタ膜は溶けるか
活性化させるということは、酸化物を除去することですから、基本的に溶解させます。
２）「なじみやすくする」ということで…
めっきがバレルめっきですし、製品の体積密度も高いため、めっき液を充分に浸透させるための「なじみ時間」です。正常なめっき皮膜を得るために必要です。
Niめっきですから、pH４くらいですので、さほど影響はないでしょう。
ただし、１）も２）も程度問題です。
硫酸の活性化をなくすと、めっきの密着不良の問題が生じ、なじみ時間をなくすと析出物の異常という問題になります。現状で問題なければ、この工程をなくす必要はありません。
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お礼
2004/07/18 22:26
どうもありがとうございました。
硫酸処理は、手作業で行うので撹拌時間や処理後のバレル投入までの時間が一定ではない＋硫酸処理→水洗→乾燥→バレル投入といった工程で過去やっていたりして、それならなくした方が良いと思っていました。
スパッタ／Ｎｉめっき間
Ｎｉ／Ｓｎめっき間の密着不良がポツポツあり困っていますが、もうちょっと工程間で調べてみます。