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MOS構造について
2023/10/14 13:17
- MOS構造についての問題があります。ソースの電子濃度、基板の濃度、酸化膜の厚さなどが与えられています。
- この問題では、ゲート電圧を求める必要があります。基板が接地されているとして、必要な情報が与えられています。
- 問題の解決には表面処理技術の知識が必要です。図がないため情報に制限がありますが、アドバイスを頂けると助かります。
MOS構造について
2005/04/26 15:06
↓のような問題があるのですが・・・
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)構造について考える
ゲートに隣接してソースが形成されており、その電子濃度は2.0×10^19[cm^3]である。また基板の濃度は1.0×10^15[cm^3]とする。
ソースの電子を酸化膜と基板の界面に誘起するために必要なゲート電圧[V]を求めなさい。但し、基板は接地されているものとして、以下の値を使用してください。
Tox＝50[nm]、Nd=2.0×10^19[cm^3]、Na=1.0×10^15[cm^3]、KT/q=0.026[eV]
↑の問題を解く際、どのような学問領域が必要でしょうか？いちおう、カテゴリーは表面処理技術にしているのですが。
この問題には、図もあるんですが、書くことができません。
とりあえず、アドバイスいただけたらうれしいです。
回答 （3件中 1～3件目)
その手の関連する書籍が有ります（本の内容の半分は計算式）、最近読まないので、たぶん倉庫の「肥やし」と化しています。
たしか、松下電器中央研究所の著書だったと思います、「あの頃」寝る前に読むと、これがまた良く眠れるのです、ってくらい難しい本でした。
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この質問は投稿から一年以上経過しています。
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カテゴリーは「表面処理技術」ではなく「電気・半導体・化学／その他」（化学が同じカテゴリーというのも解せないのですが、既存のものから選べば）が妥当だと思います。
学問領域としては、「集積回路技術」が相当します。
文献など検索する場合、「CMOS」をキーワードに含めないと、バイポーラに関する情報に埋もれてしまうかもしれません。
改めてご質問されているようですが、
> ＭＯＳとＣＭＯＳは、どう違うのでしょうか？
はこちらでお答えします。
回答中、必ずしもCMOSに限定する必要はありませんでした。
Complementary Metal Oxide Semiconductor の略です。
MOSの中でも、電荷の運搬に自由電子と正孔の両方を用いるものです。
例えば、FETで回路を構成する場合には、N-MOS FETとP-MOS FETをcomplemental に配置して、構成します。
昔、学生の時に演習でやったような気がしますが、忘れました。広くは電子工学ですかね。物理でも扱うかな。手元の文献ではいいものがありませんが「電子現象ー電子物理と放電現象」相川孝作著朝倉書店ぐらいしかありませんでした。
お礼
2005/04/27 00:58
電子工学ですか～。頑張って勉強してみます。「ＣＥのユーザー」さんがお持ちの文献に、ＭＯＳ構造についての問題など在りましたか？図書室で、調べてみようと思うのですが。
お礼
2005/04/27 00:55
集積回路技術が必要なんですね。必要な学問領域について学習すると言う課題もあるので、これからその分野について頑張って勉強しようと思います。関係者ということで、貴重な回答ありがとうございます。
ＭＯＳとＣＭＯＳは、どう違うのでしょうか？