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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：トライアックの評価方法について）
トライアックの評価方法について
2023/10/16 10:33
このQ&Aのポイント
- トライアックの臨界オン電流上昇値(di/dt)の評価方法を調べています。
- ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴと比べて、トライアックの情報が少なく困っています。
- サイリスタのdi/dtの評価方法については、幾つか見つけたのですが、同じと考えてよいのでしょうか？評価回路・方法等について知っている方がおられましたら教えてください。
※ 以下は、質問の原文です
トライアックの評価方法について
2008/04/22 22:16
トライアックの臨界オン電流上昇値(di/dt)の評価方法を調べています。
色々と調べていますがＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴと比べて、トライアックの情報が少なく困っています。
サイリスタのdi/dtの評価方法については、幾つか見つけたのですが、
同じと考えてよいのでしょうか？
評価回路・方法等について知っている方がおられましたら教えてください。
回答 （1件中 1～1件目)
2008/04/22 23:17
回答No.1
サイリスタと同じ方法で評価して宜しいかと思います。
注意点としては，主電流の流れる方向（Ｔ１→Ｔ２／Ｔ２→Ｔ１）とトリガ電流の流れる方向（Ｇ端子に流れ込む方向／流れ出す方向）の組み合わせによって特性（耐量）が異なるので，２×２＝４通りの評価が必要なことです。使い方（トリガのかけ方）が決まっていれば，主電流の方向に対して，それぞれ一方向のトリガ極性となると思いますので，２通りの評価でＯＫです。
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お礼
2008/04/23 21:02
親切に教えて頂きありがとうございました。
また、よろしくお願いいたします。