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矩形波の変化直前にオーバーシュートとアンダーシュートが出る理由
2023/10/21 02:22
- CMOS回路シミュレーションで矩形波の変化直前にオーバーシュートやアンダーシュートが発生する理由について教えてください。
- 矩形波の電圧変化の直前にオーバーシュートやアンダーシュートが現れる現象について、spiceなどのCMOS回路シミュレーションを通じて説明してください。
- 矩形波の変化直前にオーバーシュートやアンダーシュートが起こる理由を、spiceなどのCMOS回路シミュレーションに基づいて解説してください。
矩形波の変化直前のオーバーシュート
2022/08/28 13:34
spiceなどのCMOS回路シミュレーションで、
矩形波の電圧変化の直前にオーバーシュート、アンダーシュートが出る事がありますが、
この理由がわかる方教えて頂けませんか？
簡単なインバータのイメージを記します。(絵が汚くてすみません)
トランジスタに寄生CRはつきますが、意図的なLなどはつけていません。
質問者が選んだベストアンサー
次に示すようなCMOS（NMOS＋PMOS）のモデルを使って、理想的な矩形波電圧源でin端子を駆動すると、CMOS素子のゲート－ドレイン間
容量（CGDO）を介して、駆動波の立上がり（立下り）が出力端子に現れ、素子が応答してから、本来のロジックレベルに落ち着くようですね。
駆動波形の立上がり（立下り）時間を1ns～2ns程度に鈍らせれば、ほとんど目立たなくなります。
CMOSのモデル：
*0.8um CMOS process is assumed *
.model n nmos level=1
+VTO=0.7 KP=110u GAMMA=0.4
+PHI=0.7 LAMBDA=0.04 PB=1.23
+CGSO=0.22n CGDO=0.22n CGBO=0.7n
+RSH=60 CJ=0.77m MJ=0.5
+CJSW=0.38n MJSW=0.38
+JS=0.1m TOX=14n LD=16n FC=0.5
.model p pmos level=1
+VTO=0.7 KP=50u GAMMA=0.57
+PHI=0.8 LAMBDA=0.05 PB=0.98
+CGSO=0.22n CGDO=0.22n CGBO=0.7n
+RSH=135 CJ=0.56m MJ=0.5
+CJSW=0.35n MJSW=0.35
+JS=0.1m TOX=14n LD=15n FC=0.5
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お礼
2022/08/28 16:37
有難う御座います。確かに寄生容量の影響は考えられますね。実際のsim.で確認してみます。