結晶欠陥とボイドについて

TEMの初心者です。

透過顕微鏡を使用してSiが使われている半導体のボイドや結晶欠陥と呼ばれるものを観察しているのですが、 4つの写真を見ても重なってるところやどれが空洞と呼ばれるボイドなのか結晶欠陥なのか、その結晶欠陥はどの様な特徴があるのかまでよくわかりません。

TEMの写真からは、欠陥やボイドがどのような形態で存在しているのでしょうか。

SEMで撮影されたこの写真からはボイドや結晶欠陥の微細な構造は読み取れませんが、表面のメリットとしての情報を得ることができるのでしょうか。

STEMの明視野、暗視野で撮影された写真では結晶欠陥とボイドの存在や分布の傾向はどうなっているのでしょうか。

それぞれの写真からから読み取れることを教えていただきたいです。

左上から順番に時計回りでTEM、SEM、STEMの明視野、STEMの暗視野で撮影した写真です。 初心者ですので、答えてくれる優しい方、よろしくお願いします。