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MOS-FETのゲート抵抗について
2023/10/15 11:20
- MOS-FETのゲート抵抗とは、ゲート端子にかかる電圧を制御するための抵抗です。
- ゲート抵抗は、MOS-FETの入力容量によって決まります。
- ゲート-ソース間へ入れる抵抗は、MOS-FETの動作点を安定させるための抵抗です。
MOS-FETのゲート抵抗について
2007/09/03 12:25
趣味で乾電池を電源としたAC100Vを作ってみようと思っており、この昇圧回路にMOS-FET使おうと考えております。
MOS-FETのゲート抵抗と、ゲート-ソース間へ入れる抵抗はどのように計算したら良いのでしょうか？
回答 （1件中 1～1件目)
毎度ＪＯです。
MOS-FETをドライブする為には、MOS-FETを十分にONさせられるだけのゲート電圧を印加せねばなりません、
ゲート電圧は通常10V以上、低電圧ドライブできるMOS-FETでも5V程度必要です、
上記の電圧が乾電池を直列として必要最低限な電圧です、
MOS-FETのゲート－ソース間はコンデンサと考えて差し支えありません、
MOS-FETをドライブする為には、このコンデンサの充放電をする事です、
質問のゲート抵抗は、MOS-FETをドライブする前段回路の保護も兼ねていますが、抵抗値が大きくなると、上記のゲート容量と抵抗値による時定数が大きくなってMOS-FETがON－OFFる時間が長くなります、
MOS-FETのONとOFF以外の状態は、MOS-FETから発熱がありますから、短時間でこの中間電位を抜けなければなりません、
したがってゲート抵抗は、前段のドライブ能力とゲート容量で決定されます、
ゲート-ソース間抵抗は上記のOFFする時間にも寄与しますが、
電源投入時・リセットなどで前段の動作が不安定（オープン状態）な状態の時ゲートをOFFさせる為に挿入します。
ゲート抵抗：ゲート-ソース間抵抗の比は１：１０以上が安全です、１：１などですとゲート抵抗・ゲート-ソース間抵抗の分圧でMOS-FETが完全にON出来ない事も考えられます。
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お礼
2007/09/04 16:00
わかりやすい説明ありがとうございます。
早速、この週末にでも工作してみたいと思います。