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2009/02/02 18:38
現在、トランジスタ増幅回路について勉強をしています。周波数特性で、低域及び高域で増幅度が低下しますが、低域での低下の理由に結合コンデンサが上げられています。そこで、入力側Cの周波数f=1/(2*π*C*hie)、出力側Cの周波数f=1/(2*π*C*(Rl+Rc))の導き出しかたについてどなたか教えてください。勉強会で導き方を説明しなければならないため、困っております。
トランジスタの使い方はエミッタ接地回路ですね。
入力側の低域カットオフ周波数は,トランジスタの入力抵抗(hie)と
結合コンデンサのインピーダンスが等しくなる周波数できまります。
結合コンデンサCのインピーダンスは1/(2×π×f×C),トランジスタ
の入力抵抗はhieなので, 1/(2×π×f×C)=hieとおいて
fについて整理すれば,ご質問通りの関係式が得られると思います。
出力側については,高域のカットオフ周波数の式ではありませんか?
ご確認下さるようにお願いします。
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2009/02/03 10:40
こんにちは。早速のご回答有難うございました。おっしゃる通り、エミッタ接地回路です。また、出力側のCについてですが、低域に影響するとあります。
f=1/(2*π*C*(Rl+Rc))のうち、Rlはコレクタ側の、Rcは出力部の、それぞれ抵抗です。
電圧増幅度Avが、Av=(hfe*RO/hie)*(1/√1+(1/(2*π*C*(Rl+Rc))2 となっております。なお、ROはRl,Rcの合成抵抗です。このAvの導き出しができればf=1/2*π*C(Rl+Rc) となるのも理解できるのですが・・・。如何なものでしょうか?