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締切済み
※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：前工程の初期段階でのSiウエハ処理）
Siウエハ前工程の初期段階での処理方法とは？
2023/10/18 07:34
このQ&Aのポイント
- Siウエハ前工程の一番初めに行われる処理は、熱処理による表面の欠陥やBMDの除去とDZ層の形成です。
- その後は酸化膜処理が行われます。
- 各メーカーによって異なる場合もありますので、具体的な手順はメーカーの指示に従って行う必要があります。
※ 以下は、質問の原文です
前工程の初期段階でのSiウエハ処理
2010/04/01 10:48
基本的な質問で恐縮です。
半導体向けSiウエハを前工程に投入する際に、一番初めに行う処理を教えていただきたい。
メーカーによって異なるとは思いますが、
１．基本は、熱処理をして、表面にある欠陥？や、BMDなどを飛ばしてDZ層を厚くするのでしょうか？
２．そのあとに酸化膜処理でしょうか？
ご教示下さい。
回答 （1件中 1～1件目)
2010/04/01 10:57
回答No.1
デバイスメーカーによって異なるとは思いますが、ウエハメーカーで表面等の欠陥検査は
契約でやってくるので、ウエハの受け入れ洗浄後に、アイソレーションを行なう工程に
進むと思います。
isolationで、ウエハ表面を分離し、微細回路を構成していく事です。
詳しくは、デバイス処理の文献等を見て下さい。
あまり詳しい事は、守秘義務で言えません。
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補足
2010/04/01 14:24
アフターユーさん
回答ありがとうございます。
因みにアイソレーションの意味、内容をご教示頂きたく。
宜しくお願い申し上げます。