AuSnハンダによる部品実装について

AuSnハンダを用いてセラミック基板（電極部）とコンデンサなどの部品を実装しています。
セラミック基板の電極部は、その下地膜構成がTi(0.1um)/Pd(0.2um)/Au(1um)となっています。部品を実装後、ダイシェア試験をするとセラミック基板の電極部から破壊され、なかなか所望の強度を得られません。
この場合の対策として、
・Auの厚さを薄くする（あるいは厚くする）
・下地のPd層を厚くする
・下地のPd層をPt層に変える（Ti/Pt/Auという構成もあるようなので）
・接合条件を変える（時間、温度など）→ただし、まずはセラミック基板側で対策を講じてみたい
などが考えられます。どれが効果的なのでしょうか？その理由も含め教えてください。
また、よく「Auが食われる」と言われます。そのため「Auは極力薄い方が望ましい」、「ハンダ付けするとどうせAuは無くなる」など定説があるようですが、Auが食われた場合、ハンダによる基板と部品の接合は、Auの下地のPd（あるいはPt）が接合することで維持されているのでしょうか？Au食われとハンダ接合のメカニズムが矛盾しているようで、理解できません。（逆にAuを厚くしてAuSnハンダからのAu食われが起きてもAuを食われきれないようにすればいいようにも思うのですが・・・）
どなたか教えてください。