トランジスタのVbeとVbe(sat)について

VBEは、ベース・エミッタ間電圧を表しますが、そのトランジスタがどのような動作状態にあるかを規定しないので、その電圧に標準値はありません。
VBE(sat)は、トランジスタが完全にON状態の動作条件となるように、ベース電流とコレクタ電流の関係（例えばIB：IC=1：10）におけるベース・エミッタ間電圧を表します。

順方向電圧(0.7Vと説明)とあるのは、シリコン半導体のp-n接合に順方向に電流を流した場合の一般値です。
シリコンダイオードであっても、シリコントランジスタのベース・エミッタ間であっても、順方向電流が流れている場合には、0.7V程度にであることが一般的ということとご理解ください。

ご存知の通り、トランジスタにコレクタ電流を流すためには、ベース・エミッタ間を順方向のベース電流で起動する必要があります。大きなコレクタ電流を流すと、エミッタ領域での電圧降下が増えるので、一定のベース電流を流すにには、コレクタ電流が小さい場合に比べて大きなベース・エミッタ間電圧を加える必要があります。VBE(sat)の最大値は、確実にトランジスタをＯＮするための駆動回路を設計するための指標です。

手持ちの2SC1815のVBE(sat)を測ってみたら、0.795V程度でした。（IB＝10mA，IC＝100mA）
コレクタ電流を流さない状態のVBEは、ベース電流に応じて次のような測定結果でした。
　　　　IB(ｍA)　　VBE(V)
　　　　　10　　　　0.715
　　　　　 1　　　　0.629
　　　　　 0.1　　　0.557
　　　　 0.01　　　0.491
参考にして頂けてら幸いです。　　　　　　　　　　

お礼

2019/10/06 19:13

回答ありがとうございました。

質問者