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waferのそり測定・原理について
2023/10/12 15:43
- waferのそり測定にはどのような方法があるのか?
- 熱をかけるとウエーハが結晶方位や自重により変化することがある
- waferのそり測定におすすめの参考資料はあるか
waferのそり測定・原理について
2001/09/01 10:33
φ200よりもφ300になってからは、ますます そりに関する測定が必要になって来ているようです。ガラス基板の凹凸を測定するようなもので測定してもノイズなのかなんなのかはっきりしません。どのような測定方法があるのでしょうか?また、熱をかけるとウエーハが結晶方位や自重により変化するとも聞きます何か参考になるものがあれば教えていただきたく宜しくお願いします。
回答 (1件中 1~1件目)
私は,KLAテンコールの「薄膜ストレス測定装置」というのを使用しています。
下記URLの製品情報>プロセスパラメータ管理モジュール>薄膜ストレス測定をご覧ください。
ウェーハの上をレーザがなぞって,反射されたレーザの変位からウェーハの形状を計算してくれます。(曲率半径とそりがわかります)本来は膜をつける前と後に同じところを測って,形状(曲率半径)の差から膜のストレスを算出するためのものです。オプション(かなぁ?)でヒーターもつけることができますので,温度によっての変化も見れます。
私自身はヒーターは利用したことがないので,何ともいえませんが,一般にウェーハに成膜されている状態の場合,熱によって反り形状は変わってきます。(膜とウェーハの熱膨張係数の違い)
その他の方法では,触針式の段差計(これもKLAテンコールにあります)を利用したりもできると思います。段差計の場合は,ウェーハの微小な凹凸や,うねりも測定条件によっては観察されます(本来はこっちが目的だと思います)ので,どの値を「そり」とみなすのかは難しいかもしれません。
もっと簡易的には測長できるレーザ(??)で,ウェーハの中心部と周辺部のゼロ点からの高さを測って,その差をそりとしてみなすこともできるのではないでしょうか。
本では,リアライズ社の「トライボロジー・内部応力・密着性 薄膜の力学的特性評価技術」をお勧めします。(というか,私は気にいってます。)
http://www.rlz.co.jp/
ここで,本>材料 で調べてみてください。
ところで,ガラス基板の凹凸はどのように測定されているのですか?
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