2MHz1kWの高周波アンプの素子は

毎度JOです。
この程度のアンプは何度か設計しました
>>高周波アンプを作ろうと思っています
１台だけなら買った方が安い！

量産品の設計で有れば、相当なノウハウが必要です
周波数２ＭＨｚ～３ＭＨｚで1ｋＷ出力はＨＦアンプの技術がそのまま使えます
安定した出力１ｋＷであれば、ドライブ電力は１００Ｗ程度（ＮＦＢ量による）

トランジスタで行くなら入出力トランス結合、プッシュプルが２回路で、入力分配と出力合成
ＦＥＴで行くなら、入出力トランス結合で２～３パラプッシュですかね

設計する場合、回路構成・部品レイアウト・個別部品の選択など考慮する点がてんこ盛り
ネックとなるのは入出力トランスとＮＦＢ回路です

単一周波数での使用で有れば、同調回路が使用出来ますので、
高耐圧のＦＥＴが使用出来、回路動作が安定しますし出力効率も上がります

古い世代のFETですが、2SK410が素子選定の際のベンチマークになるように
思います。単素子では2kWは無理ですから、複数個をパラにすることを検討
して下さい。周波数帯的にはオーバースペックですが、苦労が少なく設計を
纏められそうに思います。

モトローラのＭＲＦ１５４なども候補でしょう。

広帯域のリニアアンプでは無理と思いますが、単一周波数のＣＷであれば、
スイッチング電源用といわれている高耐圧の５００ＶのＭＯＳＦＥＴでも
不可能ではありません。（私の経験上のはなしです）

負荷が不整合になった際のロバスト性と回路効率のトレードオフをどのよう
に調整するかが設計の要点になると思います。

理論的な詰めと、実験で沢山壊して、壊れない条件を探すことが必要と
思います。