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2009/12/21 23:05
FET ON抵抗測定をテスターの抵抗計測定で実施しても正確なので
しょうか?
また、部品を破格したりする心配は無いのでしょうか。
通電状態の抵抗に、テスタで抵抗測定しようとすると計測器からの
測定電流の影響を受け上手く測定できないという事はわかります。
FETはどうなるのでしょうか。G-S間に印加しても電圧は、
ほとんどD-S間に影響しないので測定できるようにも思えるのですが
大丈夫なのでしょうか?
測定の正確さと合わせて、部品へのダメージを気にしています。
毎度JOです。
FETのON抵抗測定と有りますが、ドレイン・ソース間オン抵抗は「抵抗器」では有りません
FETが動作状態でスイッチング動作にあり、ドレインに「ある電流」が流れた場合、ドレイン・ソース間電圧とドレイン電流から求められる値で、出力インピダンスと同じ概念です
従ってテスターの「抵抗値測定」では測定出来ません
FETのON抵抗は、ドレイン電流が変化しない事を前提にすると、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、温度など色んなファクターで変化します
何の為に動作状態のFETのON抵抗測定をするのか理解できませんが
通常、動作状態のFETのON抵抗が問題となるのは、FETのスイッチング特性であり、FETからの発熱です
この場合に計測されるのは、ドレイン・ソース間オン電圧です、
FETのON抵抗は、
FETがスイッチング状態で、ドレイン電流が変化しない事を前提に、ドレイン・ソース電圧とドレイン電流をテスターで測定し計算で求められます
この場合、ドレイン・ソース電圧の測定ですからFETにダメージはありません
但しFETのスイッチングの繰り返し速度が速い場合は別の問題も出てきますが
ご回答ありがとうござます。
連絡が遅くなりすみません。ON電圧が低いことを抵抗値で
代用測定しようと考えたのですが、無理がありますね。
説明ありがとうございました。
2010/01/04 10:31
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きちんと静電気対策を行ったうえでテスターを接続すれば、部品へのダメー
ジは心配ないでしょう。
ON抵抗を測定なさりたいのですから、D-S間の抵抗を測ることになりま
す。このとき、G-S間にはFETをONさせるための電圧を印加する必要
がありますが、この電圧はテスターから印加することができません。
外部からG-S間に電圧を印加することを条件にすれば、テスターでON
抵抗を測定することは可能です。ただし#1さんがご指摘のとおり、
正規の測定条件通りではない場合は、半導体のカタログに掲載された特性
値とは異なる値が測定される可能性もあります。絶対値の測定精度を求めず
に、FET相互のON抵抗比較のような使い方ならば問題ないでしょう。
ご回答ありがとうございます。
連絡が遅くなりすみません。
テスタでは、測定するには無理がある事が理解できました。
ありがとうございました。
2010/01/04 10:36
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